金融界 2024 年 11 月 4 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市港祥辉电子有限公司申请一项名为“一种纵向常关型 GaN 复合型 JFET 器件及其制备方法”的专利，公开号 CN A，申请日期为 2024 年 10 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种纵向常关型 GaN 复合型 JFET 器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括漏极金属，所述漏极金属的上方依次设置有 n 型 SiC 衬底、n 型 GaN、第一 p 型 GaN、GaN 沟道层、AlGaN 势垒层、第二 p 型 GaN、栅极金属、隔离介质以及源极金属。通过采用纵向结构实现了高耐压特性，超过传统横向 GaN HEMT 器件，器件在正常导通时，通过 AlGaN 和 GaN 界面的二维电子气及 n 型 GaN 中电子的共同导电，确保了低导通电阻和优异的电流续流能力；此外，器件的通断控制依赖于二维电子气的形成，通过栅极电压控制二维电子气的产生，实现低驱动损耗和快速的开关速度，不仅提高了电源应用的效率，还具备优良的电学特性。
本文源自：金融界
作者：情报员
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